Vishay Siliconix SIA519EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

部品番号

SIA519EDJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6 Dual

パワー - 最大

7.8W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FETタイプ

N and P-Channel

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.5A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

12nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

350pF @ 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 38706 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6