Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 を購入

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DataSheets

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

部品番号

SIA413DJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Single

消費電力(最大)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

57nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1800pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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