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SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
部品番号
SI9933CDY-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
3.1W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
665pF @ 10V
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