SI8902AEDB-T2-E1
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
部品番号
SI8902AEDB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-UFBGA
パワー - 最大
5.7W
サプライヤーデバイスパッケージ
6-Micro Foot™ (1.5x1)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
24V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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