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SI8808DB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
330pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
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