SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
部品番号
SI8472DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Micro Foot (1x1)
消費電力(最大)
780mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
630pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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