SI8467DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
部品番号
SI8467DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-XFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
消費電力(最大)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
475pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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