SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
部品番号
SI8465DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-XFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
消費電力(最大)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
450pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 28457 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1 電子部品
SI8465DB-T2-E1 売上
SI8465DB-T2-E1 サプライヤー
SI8465DB-T2-E1 ディストリビュータ
SI8465DB-T2-E1 データテーブル
SI8465DB-T2-E1の写真
SI8465DB-T2-E1 価格
SI8465DB-T2-E1 オファー
SI8465DB-T2-E1 最安値
SI8465DB-T2-E1 検索
SI8465DB-T2-E1 を購入中
SI8465DB-T2-E1 チップ