Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 を購入

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SI7980DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

部品番号

SI7980DP-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

19.8W, 21.9W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Half Bridge)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

22 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

27nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1010pF @ 10V

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