Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 を購入

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SI7872DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

部品番号

SI7872DP-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

LITTLE FOOT®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

1.4W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Half Bridge)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6.4A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

22 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

11nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

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