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SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
部品番号
SI7868ADP-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.25 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
150nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6110pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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