Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 を購入

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SI7858BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

部品番号

SI7858BDP-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8

消費電力(最大)

5W (Ta), 48W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

84nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

5760pF @ 6V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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