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SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
部品番号
SI7272DP-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大
22W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 15V
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