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SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
部品番号
SI6924AEDQ-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パワー - 最大
1W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSSOP
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
28V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
33 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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