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SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
部品番号
SI5980DU-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® ChipFET™ Dual
パワー - 最大
7.8W
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® ChipFet Dual
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.3nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
78pF @ 50V
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