Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI5922DU-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

部品番号

SI5922DU-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® ChipFET™ Dual

パワー - 最大

10.4W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® ChipFet Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

19.2 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

765pF @ 15V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 18766 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8