Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 を購入

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SI5920DC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

部品番号

SI5920DC-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SMD, Flat Lead

パワー - 最大

3.12W

サプライヤーデバイスパッケージ

1206-8 ChipFET™

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

32 mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

12nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

680pF @ 4V

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