Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC を購入

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SI4967DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

部品番号

SI4967DY-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

パワー - 最大

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

FETタイプ

2 P-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

23 mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

450mV @ 250µA (Min)

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

55nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

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