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SI4914DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.5A, 5.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
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