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SI4816BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.8A, 8.2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 5V
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