Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO を購入

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SI4752DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO

部品番号

SI4752DY-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

SkyFET®, TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

消費電力(最大)

3W (Ta), 6.25W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Body)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

43nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1700pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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