SI4666DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
部品番号
SI4666DY-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
34nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1145pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 10V
Vgs (最大)
±12V
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