SI4622DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
部品番号
SI4622DY-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
SkyFET®, TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
3.3W, 3.1W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
16 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
60nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2458pF @ 15V
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