Vishay Siliconix SI4562DY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

部品番号

SI4562DY-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

パワー - 最大

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SO

FETタイプ

N and P-Channel

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.6V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

50nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 42845 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC