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SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ
N and P-Channel, Common Drain
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V, 8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A, 8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
805pF @ 15V
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