Vishay Siliconix SI3590DV-T1-E3 MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

部品番号

SI3590DV-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

パワー - 最大

830mW

サプライヤーデバイスパッケージ

6-TSOP

FETタイプ

N and P-Channel

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.5A, 1.7A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

77 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 41120 PCS

連絡先

関連製品

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GMR

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3529DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP