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SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
部品番号
SI3588DV-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パワー - 最大
830mW, 83mW
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.5A, 570mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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