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SI3458DV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
16nC @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
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