Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S を購入

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SI3443DDV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

部品番号

SI3443DDV-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

6-TSOP

消費電力(最大)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4A (Ta), 5.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

47 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

30nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

970pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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