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SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
部品番号
SI3443CDV-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
消費電力(最大)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.97A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12.4nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
610pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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