Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI3410DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

部品番号

SI3410DV-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

6-TSOP

消費電力(最大)

2W (Ta), 4.1W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

19.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1295pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 41446 PCS

連絡先

関連製品

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN