SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
部品番号
SI2333DS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
750mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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