SI2308DS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
部品番号
SI2308DS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
1.25W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
160 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
240pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 28505 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI2308DS-T1-E3
SI2308DS-T1-E3 電子部品
SI2308DS-T1-E3 売上
SI2308DS-T1-E3 サプライヤー
SI2308DS-T1-E3 ディストリビュータ
SI2308DS-T1-E3 データテーブル
SI2308DS-T1-E3の写真
SI2308DS-T1-E3 価格
SI2308DS-T1-E3 オファー
SI2308DS-T1-E3 最安値
SI2308DS-T1-E3 検索
SI2308DS-T1-E3 を購入中
SI2308DS-T1-E3 チップ