SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
部品番号
SI2308BDS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
156 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
190pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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