SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
部品番号
SI2307CDS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
88 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
340pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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