SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
部品番号
SI2302ADS-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
消費電力(最大)
700mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 19591 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI2302ADS-T1-E3
SI2302ADS-T1-E3 電子部品
SI2302ADS-T1-E3 売上
SI2302ADS-T1-E3 サプライヤー
SI2302ADS-T1-E3 ディストリビュータ
SI2302ADS-T1-E3 データテーブル
SI2302ADS-T1-E3の写真
SI2302ADS-T1-E3 価格
SI2302ADS-T1-E3 オファー
SI2302ADS-T1-E3 最安値
SI2302ADS-T1-E3 検索
SI2302ADS-T1-E3 を購入中
SI2302ADS-T1-E3 チップ