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SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
部品番号
SI1905BDH-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パワー - 最大
357mW
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-6 (SOT-363)
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
630mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
62pF @ 4V
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