Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363 を購入

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SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363

部品番号

SI1427EDH-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

サプライヤーデバイスパッケージ

SC-70-6 (SOT-363)

消費電力(最大)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

64 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

21nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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