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SI1307EDL-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
850mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5nC @ 4.5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
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