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SI1305EDL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
860mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
280 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4nC @ 4.5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
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