Vishay Siliconix IRFD213 MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

部品番号

IRFD213

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

4-DIP (0.300", 7.62mm)

サプライヤーデバイスパッケージ

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

消費電力(最大)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

250V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

450mA (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2 Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

8.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

140pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 44179 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP