Vishay Siliconix IRFBC20STRLPBF MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK を購入

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DataSheets

IRFBC20STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

部品番号

IRFBC20STRLPBF

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D2PAK

消費電力(最大)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.2A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.4 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

18nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

350pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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