CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
部品番号
CSD86330Q3D
メーカー/ブランド
シリーズ
NexFET™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerLDFN
パワー - 最大
6W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-LSON (3.3x3.3)
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
920pF @ 12.5V
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