Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG MOSFET N-CH 600V 18A TO263 を購入

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TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

部品番号

TSM60NB190CM2 RNG

メーカー/ブランド

Taiwan Semiconductor Corporation

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-263 (D²Pak)

消費電力(最大)

150.6W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

31nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1273pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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