Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251 を購入

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TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

部品番号

TSM60N1R4CH C5G

メーカー/ブランド

Taiwan Semiconductor Corporation

シリーズ

部品のステータス

Not For New Designs

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-251 (IPAK)

消費電力(最大)

38W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

7.7nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

370pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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