TSM110NB04LCR RLG
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
部品番号
TSM110NB04LCR RLG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDFN (5x6)
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1269pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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