Rohm Semiconductor RP1E100RPTR MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 を購入

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RP1E100RPTR

MOSFET P-CH 30V 10A MPT6

部品番号

RP1E100RPTR

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-SMD, Flat Leads

サプライヤーデバイスパッケージ

MPT6

消費電力(最大)

2W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

12.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

39nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3600pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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