R6003KND3TL1
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
部品番号
R6003KND3TL1
メーカー/ブランド
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252
消費電力(最大)
44W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
185pF @ 25V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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