HAT2299WP-EL-E
MOSFET N-CH WPAK
部品番号
HAT2299WP-EL-E
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-WPAK
消費電力(最大)
25W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
110 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
710pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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