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SI4532DY

SI4532DY

MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
部品番号
SI4532DY
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
900mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.9A, 3.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
65 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
235pF @ 10V
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